像素讀出頻率的限制
2020-03-02 16:24:14
下限：為避免熱激發(fā)產生的電子（暗電流）的影響，要求電荷包從一個柵極轉移到下一個柵極所用時間t必須小于暗電子（P-Si少子）的平均壽命τi，平均壽命與溫度相關，溫度越高，壽命越短。對三相耦合讀出結構來說，讀出頻率：
上限：轉移時間應大于電荷從一個柵極移動到另一個柵極的時間τg
表面溝道CCD的讀出頻率≤10MHz
隱埋溝道CCD的讀出頻率≤240MHz
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