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行轉移時間和像素讀出時間：
一個像素的電荷包移動到下一個像素需要一定的時間，所需時間即為行轉移時間。像素的電荷包移入水平移位寄存器后，需要移出、放大和數(shù)字化處理，也需要一定的時間，所需時間稱為像素讀出時間，一般以讀出頻率給出。Greateyes CCD行轉移時間最大100μs。讀出頻率有3級可選；500kHz、1MHz和2.8MHz。轉移效率和損失率：電荷包在像素之間轉移和水平寄存器的轉移過程中，可能會有電子損失，這是CCD
2020-03-02
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芯片等級和缺陷(Blemish)
對最上面一行像素的電荷包，讀出時需要通過其所在列的所有像素。如果一列像素中的某個像素不能形成勢阱，或形成的勢阱有缺陷，則在其上面的行的像素電荷包就不能轉移出去或轉移不完全。這是一種缺陷。像素感光失效，或量子效率變低，這也是一種缺陷。缺陷的種類分為：Traps 陷阱：Pixels where charge is temporarily held. Traps are counted if they
2020-03-02
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CCD 輸出結構
電荷包水平移位寄存器的最后一個寄存器后，需要將電荷包無破壞地以電流或以電壓的方式輸送出去。輸出結構有：反偏二極管輸出結構、浮置擴散層（FD）輸出結構、浮置柵結構、分布式浮置柵結構等。其中浮置擴散層（FD）輸出結構用得最多，如下圖：輸出柵極為一固定的中等電平，在Φreset為低電平，Φ3下降時，電荷包轉移到反偏二極管的位阱中，D點電位發(fā)生變化，被T2管放大、檢出，送至模擬-數(shù)字轉換電路（當然也可以不
2020-03-02
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![CCD增益(Gain)和幀率（frame rate）]()
CCD增益(Gain)和幀率（frame rate）
電荷包對應的數(shù)字量。一般表示為一個電子對應多少個計數(shù)，或多少個計數(shù)對應一個電子?？茖W級CCD大多數(shù)有多級增益可設置，以適合不同的光照條件（強光和弱光），高增益（高靈敏度）適合弱光，低增益適合強光（低靈敏度）。Greateyes以count/e給出這個性能指標，有兩級增益可設置：
2020-03-02
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![像素讀出頻率的限制]()
像素讀出頻率的限制
下限：為避免熱激發(fā)產(chǎn)生的電子（暗電流）的影響，要求電荷包從一個柵極轉移到下一個柵極所用時間t必須小于暗電子（P-Si少子）的平均壽命τi，平均壽命與溫度相關，溫度越高，壽命越短。對三相耦合讀出結構來說，讀出頻率： &nbs
2020-03-02
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![面陣CCD的體系結構]()
面陣CCD的體系結構
從前文可知，獲取一幅圖像的過程包括圖像獲?。ㄆ毓猓┖蛨D像讀出。因此，根據(jù)CCD感光單元（像素）和讀出電路布局的不同，主要有3種不同的體系結構。1. 隔列轉移（Interline-Transfer）像素與轉移單元交替排列。像素曝光結束后，將電荷包轉移到轉移單元，可迅速開始下一次曝光。曝光期間，轉移單元將電
2020-03-02
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![Binning – 像素聯(lián)用]()
Binning – 像素聯(lián)用
Binning – 像素聯(lián)用分為硬件Binning和軟件Binning。科學級CCD通常都提供硬件Binning功能。硬件Binning：將幾個像素的信號在讀出之前相加，這種方式減少了讀出次數(shù)，因而減少了讀出噪聲，提高了信噪比。硬件Binning是在移位寄存器中完成的。如下圖，假設要進行4像素聯(lián)用，下圖紅色虛框所示：讀出過程如下：1.?????&n
2020-03-02
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![寄存器滿井容量(Register full well capacity)]()
寄存器滿井容量(Register full well capacity)
因為硬件Binning在移位寄存器內(nèi)完成電荷包的相加，因此，寄存器的滿井容量也是一項性能指標。寄存器滿井容量一般是像素滿井容量的幾倍。如Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1像素滿井容量為500ke，寄存器滿井容量為1,000ke因此，硬件Binning時，要避免寄存器滿井溢出，尤其是使用很多個像素聯(lián)用時，需要特別注意。
2020-03-02
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![CCD噪聲(read noise)]()
CCD噪聲(read noise)
CCD噪聲CCD的噪聲主要來自兩個方面：l 一個是CCD器件自身所固有的噪聲，如光電子數(shù)量起伏噪聲、暗電流噪聲、電荷轉移噪聲、讀出放大器復位噪聲、模擬-數(shù)字轉換量化噪聲、行轉移時鐘和水平移位寄存器驅(qū)動時鐘之間的串擾導致的噪聲等。l 另一個方面就是CCD工作過程中的外界各種噪聲干擾，即隨機噪聲。1. &nb
2020-03-02
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![信噪比（Signal/Noise Ratio)]()
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![CCD相機和CMOS相機的比較]()
CCD相機和CMOS相機的比較
什么是CMOSCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)是互補金屬氧化物半導體。CMOS相機原理框圖如下：CMOS相機主要組成部分是像敏單元陣列和MOS場效應管集成電路，這兩部分是集成在同一塊硅片上。也就是是說，每個像素包括兩個部分：感光部分 – 像敏單元將光轉換成點信號，信號預處理部分 – MOS場效應管。像素也是排成陣列，與CCD不同，每個像素都
2020-03-02
