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非掃描臺式X射線吸收精細結構譜儀,加速非晶材料結構及其演化過程探索的步伐

2022-12-19 13:40:56

自 1895 年倫琴發(fā)現(xiàn) X 射線以來,基于 X 射線衍射技術等多種材料結構表征方法應運而生,并逐漸發(fā)展成為現(xiàn)代材料科學領域研究重要的實驗工具。然而,在長程有序的晶體結構研究領域取得了輝煌成就的 X 射線衍射技術,對于非晶材料結構的探索卻表現(xiàn)出無能為力。X 射線吸收精細結構譜(XAFS)作為一種材料局域結構解析的先進表征技術,利用 X 射線與結構原子相互作用時系統(tǒng)量子力學狀態(tài)的描述,能夠在短程結構范圍內提供相較于 X 射線晶體衍射更加精確的原子結構配位信息。

在傳統(tǒng)透射式 X 射線吸收光路幾何的設計中,考慮到系統(tǒng)能量分辨率和信噪比要求,必須采用具有高亮度、大范圍連續(xù)波長可調、高偏振性及小發(fā)散角特點的 X 射線光源,受限于實驗室 X 射線光管的通量密度和源尺寸,X 射線吸收精細結構譜表征難以在普通實驗室開展,只能借助同步輻射光源。對此,HP Spectroscopy 公司經過十余年的光譜儀系統(tǒng)設計與改進,搭建了基于非掃描式 von Hamos 幾何結構的臺式 X 射線吸收精細結構譜儀,該譜儀采用高分辨、高反射率的 HAPG 柱面彎晶作為色散元件,能夠提供 10-100 倍于傳統(tǒng)分析晶體的光通量增益,一次攝譜能量帶寬可達 1000 eV,加速了非晶材料結構及其演化過程探索的步伐,同時也開啟了非掃描臺式 X 射線吸收精細結構譜儀商用化的新紀元。

hiXAS—非掃描臺式X射線吸收精細結構譜儀

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司


非掃描臺式 X 射線吸收精細結構譜儀性能優(yōu)勢






1. 小光源尺寸實現(xiàn)高能量分辨

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所有實驗室 X 射線光譜儀能量分辨率均受限于 X 射線光源的尺寸。傳統(tǒng)的 X 射線光譜儀設計,為了獲得高的光通量值,光源必須采用高功率的 X 射線光管,其產生的大尺寸的X 射線源極大的限制了光譜的分辨能力。微焦點 X 射線源則大為不同,無狹縫的光源設計,得益于陰極發(fā)射的電子被聚焦于陽極靶材的一點,能夠在微米級的光源上獲得非常高的亮度,實現(xiàn)光子的利用率最大化和光譜的分辨能力最優(yōu)化。


2. 柱面 HAPG 彎晶代替?zhèn)鹘y(tǒng)平晶實現(xiàn)光子利用率的最大化

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傳統(tǒng)透射式幾何的 X 射線吸收譜儀光路受限于分析晶體反射率和分辨率的矛盾,必須通過提高光源的電子束功率來增強光通量值。對于 HAPG 晶體而言,其特點在于能夠在一定曲率面型的基底上形成理想的層狀石墨晶體,在保證晶體高分辨率的同時,能夠提供 10-100 倍于傳統(tǒng)分析晶體的光通量增益,真正實現(xiàn)譜儀系統(tǒng)光子利用率的最大化。


3. 大靶面光子計數陣列探測器,一次攝譜獲得高能量帶寬的光譜圖

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歸功于高亮度的微焦點 X 射線源、聚焦射線的柱面 HAPG 晶體以及大面陣的 HPC 探測器,高質量的 X 射線光譜能夠在短時間內獲得,并且根據 HAPG 晶體的幾何尺寸設計,一次攝譜可獲得 300-1000 eV能量帶寬的光譜數據,在一定程度上滿足了原位時間分辨的實驗需求。

 非晶材料結構及其演化過程的解析






XAFS 對材料結構的研究主要集中于負載或非負載析出相,因為它代表了活性負載非晶材料的典型。而這類材料結構的長程無序,短程有序特性,使得 XAFS 成為描述吸收原子局域結構唯一的表征方法。圖1顯示了 Co2+ 負載 COFs 材料的 EXAFS 結果,傅里葉變換第一殼層擬合位于1.6 ?,代表 Co-N 配位鍵,更長距離未觀測到 Co-Co 鍵的擬合峰,表明 Co2+ 在 COFs 材料中形成高度分散的 Co-聯(lián)吡啶位點,它具有高局域結構的有序性和弱的長程有序性。

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 (a) Macro-TpBy-Co 合成示意圖;(b) Macro-TpBy-Co 中Co K 邊 XANES 譜圖,Co 和 Co3O為參照標準樣品;(c) Co K 邊 R 空間傅里葉變換 EXAFS 譜圖。[J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 6623?6630]

XAFS 光譜的變化是非晶材料結構演化的最有力證據,是 XRD 和 XPS 的完美補充。XPS 只能給出材料極表面的結構信息,XAFS 能夠給出材料內部結構的平均統(tǒng)計描述,是非晶材料反應過程結構演化不可或缺的表征手段,如下圖所示。
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(a) La2Ni0.8Cu0.2O和  (b)  La1.8Ba0.2Ni0.9Cu0.1O4  在 DRM 反應前和 770 ℃冷卻、DRM 反應后  30 min 及 90 min  Ni K 邊 XANES 譜圖,La2NiO和 Ni 為參照標準樣品。[ACS Catal. 2021, 11, 43?59]

 


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