SPIE Advanced Lithography + Patterning 2025
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會議介紹
SPIE Advanced Lithography + Patterning 自1976年以來一直是半導體行業(yè)光刻和圖案化領域的頂級會議。該會議為全球半導體技術(shù)和制造從業(yè)者提供了一個交流技術(shù)進展和展示產(chǎn)品的平臺，重點關注工業(yè)應用。會議涵蓋了半導體光刻和圖案化的整個價值鏈，包括電路設計、材料、光刻和蝕刻工具、工藝、計算光刻、計量、測試和良率改進，以及新興領域的圖案化、人工智能（機器學習、深度學習）、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實（AR/VR）以及可持續(xù)性。
大會主要專題內(nèi)容
Optical and EUV?
Nanolithography XXXVIII
涵蓋光學和極紫外光刻設備、光源、掩模、圖案化等。
DTCO and Computational?Patterning IV
包括設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）、系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）、制造設計（DFM）、良率設計（DFY）等。
Metrology, Inspection,?
and Process Control XXXIX
涉及缺陷檢測、工藝開發(fā)、計量建模和仿真等。
Novel Patterning Technologies 2025
探討新型圖案化材料、工藝和應用，包括MEMS/NEMS、光子晶體、生物電子學等。
Advances in Patterning Materials?
and Processes XLII
探討新型圖案化材料、工藝和應用，包括MEMS/NEMS、光子晶體、生物電子學等。
Advanced Etch Technology and?
Process Integration for Nanopatterning XIV
涵蓋等離子體蝕刻、氣體蝕刻、濕法蝕刻等。
“??我們的合作伙伴XRnanotech公司的Timothee Allenet博士在本次會議上展示其在半導體光刻領域的的研究成果！?”
會議同期還有一系列學習課程與網(wǎng)絡會議，內(nèi)容涵蓋光學和極紫外（EUV）光刻、圖案化技術(shù)、計量學、原子層蝕刻、前端（FEOL）和后端（BEOL）制造等關鍵主題。
2025會議時間與地點
時 間：2025年2月23日至27日
地 點：美國加利福尼亞州圣何塞 McEnery 會議中心
☆?關于XRnanotech公司
瑞士XRnanotech公司融合頂尖研究院所專利、科學家級工程團隊與嚴苛品控，持續(xù)領跑X射線光學領域。無論是納米成像、高效光子捕獲，還是極端環(huán)境穩(wěn)定性。我們?yōu)槿蚩蛻艄餐峁俺綐O限”的解決方案。眾星聯(lián)恒聯(lián)合XRnanotech，為中國用戶提供所有售前咨詢，銷售及售后服務，歡迎聯(lián)系我們。
揭秘瑞士XRnanotech三大黑科技：如何以納米級精度重新定義X射線光學？
新的X射線世界紀錄：以4nm的分辨率觀察微芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
新突破！復合折射透鏡和菲涅爾波帶片定制組合實現(xiàn)寬能量范圍X射線復消色差聚焦
?內(nèi) 容?? 凱爾西
?編 輯?? 小喬
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