SPIE Advanced Lithography + Patterning 2025
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會(huì)議介紹
SPIE Advanced Lithography + Patterning 自1976年以來(lái)一直是半導(dǎo)體行業(yè)光刻和圖案化領(lǐng)域的頂級(jí)會(huì)議。該會(huì)議為全球半導(dǎo)體技術(shù)和制造從業(yè)者提供了一個(gè)交流技術(shù)進(jìn)展和展示產(chǎn)品的平臺(tái)，重點(diǎn)關(guān)注工業(yè)應(yīng)用。會(huì)議涵蓋了半導(dǎo)體光刻和圖案化的整個(gè)價(jià)值鏈，包括電路設(shè)計(jì)、材料、光刻和蝕刻工具、工藝、計(jì)算光刻、計(jì)量、測(cè)試和良率改進(jìn)，以及新興領(lǐng)域的圖案化、人工智能（機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）以及可持續(xù)性。
大會(huì)主要專題內(nèi)容
Optical and EUV?
Nanolithography XXXVIII
涵蓋光學(xué)和極紫外光刻設(shè)備、光源、掩模、圖案化等。
DTCO and Computational?Patterning IV
包括設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）、系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）、制造設(shè)計(jì)（DFM）、良率設(shè)計(jì)（DFY）等。
Metrology, Inspection,?
and Process Control XXXIX
涉及缺陷檢測(cè)、工藝開(kāi)發(fā)、計(jì)量建模和仿真等。
Novel Patterning Technologies 2025
探討新型圖案化材料、工藝和應(yīng)用，包括MEMS/NEMS、光子晶體、生物電子學(xué)等。
Advances in Patterning Materials?
and Processes XLII
探討新型圖案化材料、工藝和應(yīng)用，包括MEMS/NEMS、光子晶體、生物電子學(xué)等。
Advanced Etch Technology and?
Process Integration for Nanopatterning XIV
涵蓋等離子體蝕刻、氣體蝕刻、濕法蝕刻等。
“??我們的合作伙伴XRnanotech公司的Timothee Allenet博士在本次會(huì)議上展示其在半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域的的研究成果！?”
會(huì)議同期還有一系列學(xué)習(xí)課程與網(wǎng)絡(luò)會(huì)議，內(nèi)容涵蓋光學(xué)和極紫外（EUV）光刻、圖案化技術(shù)、計(jì)量學(xué)、原子層蝕刻、前端（FEOL）和后端（BEOL）制造等關(guān)鍵主題。
2025會(huì)議時(shí)間與地點(diǎn)
時(shí) 間：2025年2月23日至27日
地 點(diǎn)：美國(guó)加利福尼亞州圣何塞 McEnery 會(huì)議中心
☆?關(guān)于XRnanotech公司
瑞士XRnanotech公司融合頂尖研究院所專利、科學(xué)家級(jí)工程團(tuán)隊(duì)與嚴(yán)苛品控，持續(xù)領(lǐng)跑X射線光學(xué)領(lǐng)域。無(wú)論是納米成像、高效光子捕獲，還是極端環(huán)境穩(wěn)定性。我們?yōu)槿蚩蛻艄餐峁俺綐O限”的解決方案。眾星聯(lián)恒聯(lián)合XRnanotech，為中國(guó)用戶提供所有售前咨詢，銷(xiāo)售及售后服務(wù)，歡迎聯(lián)系我們。
揭秘瑞士XRnanotech三大黑科技：如何以納米級(jí)精度重新定義X射線光學(xué)？
激光直寫(xiě)解鎖大面積菲涅爾波帶片的制備工藝及應(yīng)用
新的X射線世界紀(jì)錄：以4nm的分辨率觀察微芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
新突破！復(fù)合折射透鏡和菲涅爾波帶片定制組合實(shí)現(xiàn)寬能量范圍X射線復(fù)消色差聚焦
?內(nèi) 容?? 凱爾西
?編 輯?? 小喬
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